場效應管能被制造成兩種極性。與N溝道MOSFET對稱的同類是P溝道MOSFET，兩者的特性對稱。通常漏極電位比源極電位低，當柵極電位比源極電位低1-2V時，漏極出現電流。但兩種極性并非完全對稱，因為P溝道MOSFET的載流子是空穴，與電子相比，它的”活動性”差，且有“少數載流子生存時間”短的缺陷，這些都是是影響半導體器件性能的重要參數。值得記住的是：通常P溝道FET的性能較差，它有較高的柵極門限電壓，較高的RDSON以及較低的飽和電流。